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portada Dopants and Defects in Semiconductors (en Inglés)
Formato
Libro Físico
Editorial
Año
2018
Idioma
Inglés
N° páginas
372
Encuadernación
Tapa Dura
ISBN13
9781138035195
N° edición
0002

Dopants and Defects in Semiconductors (en Inglés)

Matthew D. McCluskey (Autor) · Eugene E. Haller (Autor) · CRC Press · Tapa Dura

Dopants and Defects in Semiconductors (en Inglés) - McCluskey, Matthew D. ; Haller, Eugene E.

Libro Nuevo

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Reseña del libro "Dopants and Defects in Semiconductors (en Inglés)"

Praise for the First Edition"The book goes beyond the usual textbook in that it provides more specific examples of real-world defect physics ... an easy reading, broad introductory overview of the field" ―Materials Today"... well written, with clear, lucid explanations ..."―Chemistry WorldThis revised edition provides the most complete, up-to-date coverage of the fundamental knowledge of semiconductors, including a new chapter that expands on the latest technology and applications of semiconductors. In addition to inclusion of additional chapter problems and worked examples, it provides more detail on solid-state lighting (LEDs and laser diodes). The authors have achieved a unified overview of dopants and defects, offering a solid foundation for experimental methods and the theory of defects in semiconductors.Matthew D. McCluskey is a professor in the Department of Physics and Astronomy and Materials Science Program at Washington State University (WSU), Pullman, Washington. He received a Physics Ph.D. from the University of California (UC), Berkeley.Eugene E. Haller is a professor emeritus at the University of California, Berkeley, and a member of the National Academy of Engineering. He received a Ph.D. in Solid State and Applied Physics from the University of Basel, Switzerland.

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